半導體設(shè)備需要大量的精密陶瓷部件。由于陶瓷具有高硬度、高彈性模量、高耐磨、高絕緣、耐腐蝕、低膨脹等優(yōu)點，可用作硅片拋光機、外延/氧化/擴散等熱處理設(shè)備、光刻機、沉積設(shè)備，半導體刻蝕設(shè)備，離子注入機等設(shè)備的零部件。半導體陶瓷有氧化鋁、氮化硅、氮化鋁、碳化硅等，在半導體設(shè)備中，精密陶瓷的價值約占16%左右。精密陶瓷作為第三代新興材料，已經(jīng)被引入到各種裝備之中，充當著重要的角色，這為精密陶瓷的應(yīng)用提供了廣闊的用武之地。
隨著芯片生產(chǎn)的技術(shù)的不斷提高，半導體制造設(shè)備持續(xù)向精密化、復雜化演變，高精密陶瓷關(guān)鍵部件的技術(shù)要求也越來越高。近年來東莞兆恒機械持續(xù)為國內(nèi)外半導體企業(yè)加工了眾多高精密的半導體零部件，如果您也有這樣的加工需求可以聯(lián)系我們。
其中陶瓷部件包括：
1、氧化鋁(Al?O?)
2、碳化硅(SiC)
3、氮化鋁(AIN)
4、氮化硅(Si3N4)
5、氧化釔（Y2O3）
氧化鋁：
氧化鋁在半導體裝備中使用最為廣泛的精密陶瓷材料。具有材料結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，機械強度高，硬度高，熔點高，抗腐蝕，化學穩(wěn)定性優(yōu)良，電阻率大，電絕緣性能好等優(yōu)點，在半導體設(shè)備中應(yīng)用廣泛。
在半導體刻蝕設(shè)備中，刻蝕機腔室材料作為晶圓污染的主要來源，等離子刻蝕對其影響程度決定了晶圓的良率、質(zhì)量、刻蝕工藝的穩(wěn)定性等。因此，刻蝕機腔室材料的選用尤為重要。當前，主要采用高純Al?O?涂層或Al?O?陶瓷作為刻蝕腔體和腔體內(nèi)部件的防護材料。
碳化硅
碳化硅具有高導熱性、高溫機械強度、高剛度、低熱膨脹系數(shù)、良好的熱均勻性、耐腐蝕性、耐磨耗性等特性。碳化硅在高達1400℃的極端溫度下，其仍能保持良好的強度。采用碳化硅陶瓷的研磨盤由于硬度高而磨損小，且熱膨脹系數(shù)與硅晶片基本相同，因而可以高速研磨拋光。
在硅晶片生產(chǎn)時，需要經(jīng)過高溫熱處理，常使用碳化硅夾具運輸，其耐熱、無損，可在表面涂敷類金剛石（DLC）等涂層，可增強性能，緩解晶片損壞，同時防止污染擴散。此外，碳化硅陶瓷還可應(yīng)用在XY平臺、基座、聚焦環(huán)、拋光板、晶圓夾盤、真空吸盤、搬運臂、爐管、晶舟、懸臂槳等。
氮化鋁
高純氮化鋁陶瓷具有卓越的熱傳導性，耐熱性、絕緣性，熱膨脹系數(shù)接近硅，且具有優(yōu)異的等離子體抗性，產(chǎn)品熱量分布均勻?？蓱?yīng)用于晶片加熱的加熱器、靜電夾盤等。
氮化硅
氮化硅(Si3N4）是斷裂韌性高、耐熱沖擊性強、高耐磨耗性、高機械強度、耐腐蝕的材料。可應(yīng)用于半導體設(shè)備的平臺、軸承等部件。
氧化釔
氧化釔（Y2O3）為立方結(jié)構(gòu)，熔點高，化學和光化學穩(wěn)定性好，光學透明性范圍較寬，聲子能量低，容易實現(xiàn)稀土離子的摻雜具有卓越的等離子體抗性，對于務(wù)必避免顆粒污染的半導體加工設(shè)備應(yīng)用而言是理想之選，因為它能降低設(shè)備維護要求，從而提高生產(chǎn)力。氧化釔目前主要用途用在刻蝕陶瓷環(huán)等
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